華為布局第三代半導(dǎo)體技術(shù)！
據(jù)報(bào)道，華為公司日前通過(guò)旗下的哈勃科技投資有限公司投資了山東天岳公司，占股10%，后者是一家以碳化硅為主的半導(dǎo)體材料公司，此舉顯示華為正在布局新一代半導(dǎo)體技術(shù)。
山東天岳注冊(cè)于2011年，位于山東濟(jì)南市，已成長(zhǎng)為行業(yè)內(nèi)國(guó)際先進(jìn)的碳化硅半導(dǎo)體材料***企業(yè)。目前山東天岳已是國(guó)家工信部主管的“中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟”理事長(zhǎng)單位，建有“碳化硅半導(dǎo)體材料研發(fā)技術(shù)”國(guó)家地方聯(lián)合工程研究中心、國(guó)家博士后科研工作站和2個(gè)省級(jí)研發(fā)平臺(tái)，在海外設(shè)有4個(gè)研發(fā)中心，擁有60余人研發(fā)團(tuán)隊(duì)，先后承擔(dān)20余項(xiàng)國(guó)家、省部級(jí)課題。
據(jù)官網(wǎng)介紹，以SiC碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬、熱導(dǎo)率高，擊穿場(chǎng)強(qiáng)高，飽和電子漂移速率高，化學(xué)性能穩(wěn)定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛用于制造高溫，高頻，高功率，抗輻射，大功率和高密集集成電子器件，今后可以廣泛應(yīng)用于大功率高頻電子器件、半導(dǎo)體發(fā)光二極管（LED），以及諸如5G通訊、物流網(wǎng)等微波通訊領(lǐng)域，并被列入《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要》，在今后國(guó)民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展中占有重要地位。
華為沒(méi)有公布投資碳化硅技術(shù)的具體內(nèi)容，不過(guò)碳化硅主要應(yīng)用市場(chǎng)有5G、汽車IGBT芯片及微波通信等領(lǐng)域，這些多少都跟華為現(xiàn)在及未來(lái)的業(yè)務(wù)有關(guān)。
從今年5月16日之后，包括海思在內(nèi)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)對(duì)華為而言意義更加重要，前幾天海思的注冊(cè)資本還從6億大漲到了20億，意味著半導(dǎo)體業(yè)務(wù)還要繼續(xù)擴(kuò)大，這次投資第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)顯然也是未雨綢繆，提高國(guó)內(nèi)技術(shù)所占的比重。
